半導體的導電能力與導體并不相同，兩者對比的話，半導體導電能力比導體導電能力弱，不過比絕緣體導電性能強。下面整理了兩者之間的不同之處，我們就從不同之處看兩者的區別性，另外對ups電源應用到半導體領域有所需要了解的可以咨詢我們優比施。

半導體的導電能力與導體相同嗎?

在能帶結構模型中，金屬的電導率由費米能級附近電子的遷移率決定。半導體的電導率由價帶頂部附近的空穴和導帶底部的電子的共同遷移率決定。

電子和空穴的有效質量不相等(同一能帶的電子和空穴的有效質量相等;我的意思是導帶電子的有效質量不等于價帶空穴的有效質量)，所以兩者的電導率要分開討論。

半導體的導電性比導體弱，半導體只在熔融狀態下導電。

當機械溫度為0時，理論上價帶中的電子占據所有位置。在外部電場的作用下，不會發生位置偏移，也不會產生電流。在禁帶中，沒有電子，也不會產生電流。理論上，電流產生取決于導帶。

半導體的導帶中沒有電子。當價帶中的電子吸收能量時，就會躍遷到導帶。價帶中也會有空穴。在外部電場的情況下，它們將轉變為導帶中的電子和價帶中的電子。空穴會參與傳導。

導體中的價帶電子不是全能帶，它們在外場的作用下直接產生電流。

以上是一個簡單的概念。我再強調一句：半導體中的電子空穴傳導和導電金屬中的電子傳導的根本區別!

不考慮缺陷等的影響。對于理想的材料，電導率取決于電導率涉及的數量和遷移率。

所以很容易觀察半導體和金屬的導電性。

1.參與傳導的載流子數量包括電子和空穴。一般來說，金屬的載流子遠遠多于半導體，尤其是這個證書的導體。

2.金屬是電子導電的，具有低質量和高遷移率，而半導體具有低空穴遷移率。

綜上所述，在理想條件下，金屬的導電性應該很強!