光刻機(jī)和半導(dǎo)體之間有著緊密關(guān)系，在生產(chǎn)半導(dǎo)體的同時(shí)是離不開光刻機(jī)設(shè)備，目前荷蘭制造出來的光刻機(jī)在全球領(lǐng)域當(dāng)中是佼佼者了，在很多半導(dǎo)體生產(chǎn)迭代當(dāng)中，對(duì)于光刻機(jī)而言，還是較為依賴進(jìn)口設(shè)備，對(duì)于光刻機(jī)發(fā)展來說國(guó)內(nèi)還有一段時(shí)間。再者就是光刻機(jī)所需搭配的ups電源供電保障系統(tǒng)，是可以直接咨詢我們優(yōu)比施廠家進(jìn)行解決。

光刻機(jī)和半導(dǎo)體有什么關(guān)系?

光刻機(jī)是芯片制造的重要器件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)精密復(fù)雜，決定了芯片的制造工藝。目前全球使用的器件99%都是荷蘭ASML公司制造的，即使價(jià)格高，也未必有錢買，這讓芯片廠商非常被動(dòng)，所以國(guó)內(nèi)企業(yè)也在研究光刻機(jī)

從半導(dǎo)體學(xué)習(xí)者的角度來看，半導(dǎo)體行業(yè)的人給的要求和責(zé)任有點(diǎn)苛刻。以光刻機(jī)為例。其實(shí)目前我國(guó)學(xué)半導(dǎo)體的人是解決不了的。它涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。目前，我國(guó)從事半導(dǎo)體領(lǐng)域的大多數(shù)人主要集中在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)上。

光刻機(jī)包含了制造和技術(shù)材料的內(nèi)容，所以不是一個(gè)只有微電子和半導(dǎo)體學(xué)科才能解決的問題，這說明半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是各方面綜合實(shí)力的體現(xiàn)。

光刻機(jī)是科技半導(dǎo)體行業(yè)的皇冠。如果我們不尋求突破，我們將一直被卡在脖子上。這不是我們需要的。我們必須努力克服它，這樣我們的科技半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)才能順利發(fā)展。

如果我們沒有自己的光刻機(jī)，那么我們的整個(gè)產(chǎn)業(yè)就會(huì)停滯不前，如果光刻機(jī)問題得不到解決，我們就無法在一些科技領(lǐng)域取得新的自我突破。

光刻機(jī)一定要用集成電路技術(shù)生產(chǎn)的芯片和電子元件嗎?光刻機(jī)本身只是通過光學(xué)微型影像技術(shù)，將晶圓表面的光刻膠暴露或不暴露在掩模圖案的光線下，本質(zhì)上與電子系統(tǒng)無關(guān)，大部分發(fā)光電子器件都是需要的，所以世界上第一個(gè)光刻器件當(dāng)然沒有集成芯片。之后，通過迭代升級(jí)，提高光刻機(jī)的性能和刻蝕的精度。

總的來說，光刻機(jī)確實(shí)是制約集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一，但我想說的是，集成電路產(chǎn)業(yè)是一個(gè)上下游領(lǐng)域廣泛的支柱產(chǎn)業(yè)，涉及化工、材料、光學(xué)、機(jī)電控制、精細(xì)加工、電子設(shè)計(jì)等。這些都是現(xiàn)代工業(yè)的標(biāo)志，用了四次工業(yè)革命才發(fā)展到今天，而光刻機(jī)只是其中一個(gè)重要的裝備。

光刻機(jī)與ASML等國(guó)外巨頭的業(yè)績(jī)差距明顯。可以說，光刻機(jī)的業(yè)績(jī)差距已經(jīng)嚴(yán)重制約了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)與ASML等國(guó)外巨頭生產(chǎn)的光刻機(jī)差距有多大?

上海微電子設(shè)備有限公司生產(chǎn)的90nm光刻機(jī)設(shè)備，也是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)光刻機(jī)，的最高技術(shù)水平，比ASML落后近10年。光刻機(jī)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品發(fā)展緩慢，上海微電子克服困難自行生產(chǎn)這些零部件。

目前生產(chǎn)的光刻設(shè)備已經(jīng)在國(guó)內(nèi)很多企業(yè)使用，相信很快就能走向45nm和28nm。中科院光電技術(shù)研究院研發(fā)了波長(zhǎng)365nm、曝光分辨率22nm的掩模對(duì)準(zhǔn)器，屬于近紫外光，距離極紫外光還有一點(diǎn)差距。

掩模對(duì)準(zhǔn)器的波長(zhǎng)決定了芯片技術(shù)的大小。波長(zhǎng)越短，成本越高。像ASML最先進(jìn)的EUV極紫外光刻機(jī)，波長(zhǎng)只有13.5納米，可以生產(chǎn)10納米和7納米的芯片。

目前一般使用波長(zhǎng)為193nm的掩模對(duì)準(zhǔn)器，但分辨率只有38nm。而中科院研發(fā)的掩模對(duì)準(zhǔn)器采用了雙曝光技術(shù)，可以達(dá)到22nm。不過相關(guān)專業(yè)人士也指出，這項(xiàng)技術(shù)只能作為短周期的點(diǎn)線光刻，無法滿足芯片復(fù)雜的圖形，后續(xù)還在優(yōu)化完善中。

然而，一個(gè)小芯片包含許多復(fù)雜的過程。中國(guó)的芯片主要依賴進(jìn)口。主要原因是口罩對(duì)準(zhǔn)器缺乏設(shè)備、技術(shù)和人才。口罩對(duì)準(zhǔn)器設(shè)備的開發(fā)不是一朝一夕就能完成的，成果只有通過長(zhǎng)期的投入和開發(fā)才能看到。