電子行業的發展，隨著科技的不斷創新和進步，整個行業都發生了大的改革和變化，在集成電路方面，也是獲取了不小的成就，最為直觀的一個變化就是所有的電路制作中，產品設備的體積越來越小，工作效率也越來越高。

在整個工藝中，可以選擇兩者不同的工藝進行工作，一個可以是低溫工藝，但是這樣的工藝在發展中，出現了眾多的弊端問題，這樣的低溫工藝情況下，很多注入進去的粒子雜質他的效果是很差的，一旦是晶格體收到了影響，那么他的修復能力也變得很差，甚至還會在pn的節點處出現漏電的情況，所以我們開始嘗試用高溫處理，如果是高溫工藝下處理的話，整個設備會因為高溫爐的持續溫度減少處理的時間。而在高溫處理中又誕生了rtp這樣的快速熱處理產品。

RTP設備ups不間斷電源設備：

Rtp如今成了在半導體制造中不可缺少的一個先進工藝，這樣的工藝也在制造過程中有了不可缺少的地位，其實rtp的應用主要就是在粒子注入之后，他的熱量會再次的擴充到氧化金屬硅化物的形成中同時也會在熱化學氣相沉淀同外延生長等領域中得到擴展。

Rtp的升溫速度非常快，但是這樣的高速度起步，是需要有電鞥為他提供電源的，如果直接用市電連接的話，那么這個工藝會有太大的不安全性，因為市電的穩定性我們無法保證，為了能有一個優渥和安全的市電環境，就需要ups的幫助，如果的在工作過程中，rtp的溫度無法保證持續性，那么他就無法對于晶體的表面進行持續加熱，

傳統熱處理與rtp的區別：

如今rtp的應用得到了較大發展和認可，那么和傳統的熱處理相比較，他們之間的區別是什么呢?

在傳統的熱處理設備中，他的升溫速度是在5-50分鐘左右，這樣的一個升溫速度是較慢的，具體的方法是采用的熱傳導和熱對流的一個原理進行工作，這樣的就可以讓爐的周圍都有溫度，從而保持一個平衡的狀態，但是這樣的熱壁工藝，會產生很多的雜質，這對于真正的應用并不方便。

而rtp卻完全不同，他的升溫時間大概會在20-250秒的一個時間內完成，他的給晶體加熱是直接加熱，這樣的話熱處理的均勻性更好，他的工藝是冷壁工藝，這樣的工藝可以減少對于硅片的一個污染使用。